AMD 2세대 버설 SoC, MoP 패키징으로 성능 13%↑ 면적 60%↓…LPDDR5X 32GB 탑재
2026년 07월 03일

반도체 설계 기업 AMD가 연산 프로세서와 저전력 D램을 하나의 패키지에 통합한 차세대 칩 구조를 내놓았다. 2일 AMD는 2세대 버설 프리미엄 메모리 온 패키지(MoP) 적응형 시스템 온 칩(SoC)을 공식 발표했다. 올해 말 샘플 공급이 시작되며, 내년 하반기부터 본격적인 양산에 들어갈 계획이다.
이번 2세대 버설 칩은 32GB 용량의 LPDDR5X 메모리를 탑재해 초당 307GB의 데이터 전송 대역폭을 구현한다. 기존 온보드 구조와 비교했을 때 시스템 보드 면적은 60%까지 줄일 수 있고, 성능은 13% 향상된 것으로 나타났다. AMD 측은 물리적 거리 단축이 성능 개선의 핵심 요인이라고 설명했다.
온보드 구조의 한계를 넘어서는 MoP 방식
MoP는 D램과 연산 프로세서를 단일 기판 위에 함께 패키징하는 반도체 구조를 말한다. 이는 고성능 AI 칩에서 인터포저 위에 GPU와 HBM을 2.5D 패키징하는 방식과 유사한 접근법이다. 기존에는 칩과 D램이 각각 분리된 상태로 보드 위에서 연결되는 온보드(on-board) 구조가 일반적이었다. MoP 구조는 통신 장비나 방산 분야처럼 좁은 공간과 높은 신뢰성이 요구되는 환경에서 특히 강점을 발휘한다는 평가다.
업계 관계자는 “메모리와 프로세서 사이의 물리적 거리를 극단적으로 줄이는 패키징 기술은 고대역폭이 필수적인 AI, 자율주행, 통신 인프라에서 경쟁력의 핵심이 되고 있다”고 분석했다. AMD는 이번 구조를 통해 기존 온보드 설계가 안고 있던 공간 제약과 전력 효율 문제를 동시에 해소하려는 의도로 보인다.
고속 인터페이스와 광범위한 환경 내성
2세대 버설 칩에는 초당 64기가비트 속도의 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 3.1과 PCIe 6.0 인터페이스가 통합됐다. AMD의 서버용 CPU인 에픽(EPYC)과 함께 구성할 경우 고속 데이터 이동을 지원해 시스템 전체의 병목 현상을 줄여준다.
메모리 성능 역시 상황에 따라 조절이 가능하다. 최대 초당 9600메가비트 속도의 LPDDR5X를 지원하며, CXL 메모리 확장도 가능하다. 특히 영하 40도에서 영상 110도에 이르는 극한 온도 환경에서도 정상 작동하며, 수명 주기는 15년으로 설계됐다. 이처럼 긴 수명은 메모리 단종(EOL)으로 인한 재설계 부담을 크게 덜어준다.
개발 시간 단축과 설계 용이성
패키지 내에 LPDDR5X 인터페이스가 포함되어 있어 복잡한 메모리 배선 설계가 필요 없어졌다. 보드 설계와 검증 과정이 간소화되면서 전체 개발 기간이 단축되고, 설계 오류나 재설계로 인한 추가 비용도 줄어든다. AMD는 비바도(Vivado)와 바이티스(Vitis) 개발 도구 워크플로우, 호환 설계 자산(IP)도 함께 제공해 기존 고객이 별도의 재작업 없이 바로 기술을 도입할 수 있도록 배려했다.
수미트 샤 AMD 적응형·임베디드 컴퓨팅 그룹(AECG) 제품 관리·마케팅 총괄은 “메모리 대역폭, 공간, 전력이라는 세 가지 제약을 MoP 구조로 완화해 개발 속도와 시장 출시 기간을 동시에 단축했다”고 밝혔다. 이번 기술 발표는 AMD가 임베디드·통신·방산 시장에서 인텔이나 엔비디아와의 경쟁에서 차별화된 입지를 다지기 위한 전략적 행보로 읽힌다.
반도체 패키징 기술의 진화는 칩 자체의 성능 못지않게 시스템 효율을 좌우하는 시대가 왔다. AMD가 이번 MoP 2세대를 통해 실제 시장에서 얼마나 빠르게 채택될지 주목된다.
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